近年來(lái)，半導(dǎo)體材料作為一種新興產(chǎn)業(yè)，在高新技術(shù)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的地位越來(lái)越重要。碳化硅（SiC）作為其中最具代表性的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低相對(duì)介電常數(shù)、耐高溫和抗輻射等特點(diǎn)，性能和可靠性遠(yuǎn)優(yōu)于 Si 器件和 GaAs 器件，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。