2024-2030年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場評估與投資戰(zhàn)略報告
http://www.diannaozhi.com 2023-10-07 11:32 中企顧問網(wǎng)
2024-2030年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場評估與投資戰(zhàn)略報告2023-10
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- 2024-2030年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場評估與投資戰(zhàn)略報告,首先介紹了IGBT行業(yè)的相關概念情況,接著分析了功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況;然后,報告對IGBT行業(yè)的發(fā)展環(huán)境、運行情況和IGBT技術發(fā)展情況作了詳細分析,并重點介紹了IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游幾個重要的市場;接下來,報告對國內(nèi)外重點企業(yè)經(jīng)營狀況進行了詳細分析;最后,報告重點分析了IGBT行業(yè)投資情況,并對其未來發(fā)展前景進行了科學合理的預測。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管。IGBT是一種由雙極性晶體管(BJT)和絕緣柵場效應管(MOSFET)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼并了BJT的導通電壓低、通態(tài)電流大等優(yōu)點和MOSFET的開關速度高、控制功率小等優(yōu)點。IGBT作為能源轉換和傳輸?shù)暮诵钠骷哂懈咝Ч?jié)能、高電壓、大電流、高頻率和易于開關等性能,適用于各類需要交流電和直流電轉換及高低電壓轉換的應用場景,可提高用電效率和質(zhì)量。
隨著近年來我國IGBT行業(yè)的不斷發(fā)展,我國IGBT的產(chǎn)銷量規(guī)模也隨之不斷增長,現(xiàn)如今,我國已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場。2021年,我國IGBT市場規(guī)模約為229.3億元。2021年,我國IGBT產(chǎn)量為2580萬只,同比增長27.7%;需求量為13200萬只,同比增長20%。
從我國IGBT專利情況來看,2020年以來,我國IGBT相關專利申請數(shù)量有所下滑,但整體專利數(shù)量仍處于高位。2021年我國IGBT相關專利申請數(shù)量為3330項,較2020年下降1184項。
未來,隨著折舊帶來的替換市場、電氣化程度加深帶來的新增市場以及供需格局帶來的價格增長,IGBT的發(fā)展空間十分廣闊。此外,隨著我國IGBT產(chǎn)業(yè)成熟度的增加,國內(nèi)IGBT廠商將迎來黃金布局時期。
2021年3月,國務院發(fā)布了《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》,其中提出瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域,實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。在集成電路領域,提出集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破。2021年6月28日,工信部發(fā)布《2021年汽車標準化工作要點》,提出加快關鍵部件創(chuàng)新突破,開展動力蓄電池、超級電容器、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊等標準制修訂。2021年11月,中央網(wǎng)絡安全和信息化委員會印發(fā)了《“十四五”國家信息化規(guī)劃》,其中明確指出加快集成電路關鍵技術攻關。推動計算芯片、存儲芯片等創(chuàng)新,加快集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā),推動絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破。
中企顧問網(wǎng)發(fā)布的《2024-2030年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場評估與投資戰(zhàn)略報告》共十一章。首先介紹了IGBT行業(yè)的相關概念情況,接著分析了功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況;然后,報告對IGBT行業(yè)的發(fā)展環(huán)境、運行情況和IGBT技術發(fā)展情況作了詳細分析,并重點介紹了IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游幾個重要的市場;接下來,報告對國內(nèi)外重點企業(yè)經(jīng)營狀況進行了詳細分析;最后,報告重點分析了IGBT行業(yè)投資情況,并對其未來發(fā)展前景進行了科學合理的預測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、工信部、中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中企顧問網(wǎng)、中企顧問網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道,數(shù)據(jù)權威、詳實、豐富,同時通過專業(yè)的分析預測模型,對行業(yè)核心發(fā)展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對IGBT行業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資IGBT行業(yè),本報告將是您不可或缺的重要參考工具。
報告目錄:
第一章 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)行業(yè)相關概述
1.1 功率半導體相關介紹
1.1.1 基本概念
1.1.2 性能對比
1.1.3 應用范圍
1.2 IGBT相關概述
1.2.1 基本概念
1.2.2 基本分類
1.2.3 產(chǎn)品類別
第二章 2021-2023年功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合分析
2.1 2021-2023年全球功率半導體發(fā)展分析
2.1.1 發(fā)展驅動因素
2.1.2 市場發(fā)展規(guī)模
2.1.3 細分市場占比
2.1.4 企業(yè)競爭格局
2.1.5 應用領域狀況
2.1.6 廠商擴產(chǎn)情況
2.2 2021-2023年中國功率半導體發(fā)展分析
2.2.1 行業(yè)發(fā)展特點
2.2.2 市場發(fā)展規(guī)模
2.2.3 市場競爭格局
2.2.4 支持基金分布
2.2.5 企業(yè)研發(fā)狀況
2.2.6 下游應用狀況
2.3 功率半導體行業(yè)項目投資案例
2.3.1 項目基本概況
2.3.2 項目投資計劃
2.3.3 項目投資必要性
2.3.4 項目投資可行性
2.4 功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
2.4.1 行業(yè)發(fā)展困境
2.4.2 行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2021-2023年IGBT行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
3.1 政策環(huán)境
3.1.1 行業(yè)監(jiān)管主體部門
3.1.2 行業(yè)相關政策匯總
3.1.3 產(chǎn)業(yè)目錄引導發(fā)展
3.1.4 集成電路稅收政策
3.1.5 新能源汽車政策推動
3.2 經(jīng)濟環(huán)境
3.2.1 世界經(jīng)濟形勢分析
3.2.2 國內(nèi)宏觀經(jīng)濟概況
3.2.3 工業(yè)經(jīng)濟運行狀況
3.2.4 未來經(jīng)濟發(fā)展走勢
3.3 社會環(huán)境
3.3.1 居民收入水平
3.3.2 居民消費結構
3.3.3 社會消費規(guī)模
第四章 2021-2023年IGBT行業(yè)發(fā)展綜合分析
4.1 2021-2023年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
4.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
4.1.2 市場發(fā)展規(guī)模
4.1.3 市場競爭格局
4.1.4 下游應用占比
4.2 2021-2023年中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析
4.2.1 需求驅動因素
4.2.2 市場發(fā)展規(guī)模
4.2.3 市場競爭格局
4.2.4 企業(yè)技術布局
4.2.5 應用領域分布
4.3 IGBT行業(yè)商業(yè)模式分析
4.3.1 無工廠芯片供應商(Fabless)模式
4.3.2 代工廠(Foundry)模式
4.3.3 集成器件制造(IDM)模式
4.4 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
4.4.1 產(chǎn)業(yè)鏈條結構
4.4.2 產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)
4.4.3 上游領域分析
4.4.4 下游領域分析
第五章 2021-2023年IGBT技術研發(fā)狀況
5.1 IGBT技術進展及挑戰(zhàn)分析
5.1.1 封裝技術分析
5.1.2 車用技術要求
5.1.3 技術發(fā)展挑戰(zhàn)
5.2 車規(guī)級IGBT芯片技術發(fā)展分析
5.2.1 大電流密度和低損耗技術
5.2.2 高壓/高溫技術
5.2.3 智能集成技術
5.3 車規(guī)級IGBT模塊封裝技術
5.3.1 芯片表面互連技術
5.3.2 貼片互連技術
5.3.3 端子引出技術
5.3.4 散熱設計技術
5.4 車規(guī)級IGBT的技術挑戰(zhàn)與解決方案
5.4.1 主要技術挑戰(zhàn)
5.4.2 技術解決方案
第六章 2021-2023年IGBT行業(yè)上游材料及設備發(fā)展綜合分析
6.1 2021-2023年IGBT行業(yè)上游材料發(fā)展分析——硅晶圓
6.1.1 營收發(fā)展規(guī)模
6.1.2 行業(yè)產(chǎn)能狀況
6.1.3 產(chǎn)能分布趨勢
6.1.4 出貨面積情況
6.1.5 需求結構分析
6.2 2021-2023年IGBT行業(yè)上游材料發(fā)展分析——光刻膠
6.2.1 行業(yè)基本概述
6.2.2 產(chǎn)品基本類型
6.2.3 市場發(fā)展規(guī)模
6.2.4 市場競爭格局
6.2.5 細分市場格局
6.2.6 行業(yè)發(fā)展趨勢
6.3 2021-2023年IGBT行業(yè)上游設備發(fā)展分析——光刻機
6.3.1 技術迭代狀況
6.3.2 市場發(fā)展規(guī)模
6.3.3 市場競爭格局
6.3.4 細分市場格局
6.3.5 產(chǎn)品結構狀況
6.4 2021-2023年IGBT行業(yè)上游設備發(fā)展分析——刻蝕設備
6.4.1 刻蝕需求特點
6.4.2 市場發(fā)展規(guī)模
6.4.3 市場競爭格局
6.4.4 國內(nèi)企業(yè)發(fā)展
第七章 2021-2023年IGBT行業(yè)下游應用領域發(fā)展綜合分析
7.1 2021-2023年新能源汽車領域發(fā)展分析
7.1.1 汽車產(chǎn)銷狀況
7.1.2 充電樁保有量
7.1.3 應用場景分析
7.1.4 成本構成分析
7.1.5 市場競爭格局
7.1.6 市場規(guī)模預測
7.2 2021-2023年新能源發(fā)電領域發(fā)展分析
7.2.1 應用場景分析
7.2.2 應用需求特點
7.2.3 風電新增裝機量
7.2.4 光伏新增裝機量
7.2.5 市場競爭格局
7.2.6 市場規(guī)模預測
7.3 2021-2023年工業(yè)控制領域發(fā)展分析
7.3.1 市場發(fā)展規(guī)模
7.3.2 應用場景分析
7.3.3 市場競爭格局
7.3.4 市場規(guī)模預測
7.3.5 未來發(fā)展展望
7.4 2021-2023年變頻家電領域發(fā)展分析
7.4.1 應用優(yōu)勢分析
7.4.2 變頻家電銷量
7.4.3 市場競爭格局
7.4.4 應用前景展望
7.5 2021-2023年其他應用領域發(fā)展分析
7.5.1 軌道交通領域
7.5.2 特高壓輸電領域
第八章 2021-2023年IGBT行業(yè)國外重點企業(yè)經(jīng)營分析
8.1 英飛凌(Infineon)
8.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1.3 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1.4 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.2 安森美(ON Semiconductor)
8.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.2.3 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.2.4 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.3 東芝(Toshiba Corporation)
8.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.3.3 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.3.4 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.4 三菱電機
8.4.1 企業(yè)發(fā)展概況(Mitsubishi Electric)
8.4.2 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.4.3 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.4.4 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第九章 2020-2023年IGBT行業(yè)國內(nèi)重點企業(yè)經(jīng)營分析
9.1 比亞迪股份有限公司
9.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.1.2 經(jīng)營效益分析
9.1.3 業(yè)務經(jīng)營分析
9.1.4 財務狀況分析
9.1.5 核心競爭力分析
9.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.1.7 未來前景展望
9.2 吉林華微電子股份有限公司
9.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.2.2 經(jīng)營效益分析
9.2.3 業(yè)務經(jīng)營分析
9.2.4 財務狀況分析
9.2.5 核心競爭力分析
9.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.2.7 未來前景展望
9.3 杭州士蘭微電子股份有限公司
9.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.3.2 經(jīng)營效益分析
9.3.3 業(yè)務經(jīng)營分析
9.3.4 財務狀況分析
9.3.5 核心競爭力分析
9.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.3.7 未來前景展望
9.4 天津中環(huán)半導體股份有限公司
9.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.4.2 經(jīng)營效益分析
9.4.3 業(yè)務經(jīng)營分析
9.4.4 財務狀況分析
9.4.5 核心競爭力分析
9.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.4.7 未來前景展望
9.5 株洲中車時代電氣股份有限公司
9.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
9.5.3 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
9.5.4 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第十章 IGBT行業(yè)投資分析及風險提示
10.1 IGBT行業(yè)投資機遇分析
10.1.1 契合政策發(fā)展機遇
10.1.2 國產(chǎn)替代發(fā)展機遇
10.1.3 能效標準規(guī)定機遇
10.2 IGBT行業(yè)投資項目動態(tài)
10.2.1 賽晶亞太IGBT項目落地
10.2.2 比亞迪IGBT項目啟動建設
10.2.3 臺芯科技IGBT模塊項目
10.2.4 英飛凌無錫IGBT生產(chǎn)項目
10.3 IGBT行業(yè)投資壁壘分析
10.3.1 技術壁壘
10.3.2 品牌壁壘
10.3.3 資金壁壘
10.3.4 人才壁壘
10.4 IGBT行業(yè)投資風險預警
10.4.1 產(chǎn)品研發(fā)風險
10.4.2 技術泄密風險
10.4.3 市場競爭加劇風險
10.4.4 宏觀經(jīng)濟波動風險
10.4.5 利潤水平變動風險
第十一章 2024-2030年中國IGBT行業(yè)發(fā)展前景趨勢預測
11.1 IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢分析
11.1.1 行業(yè)發(fā)展方向
11.1.2 企業(yè)發(fā)展趨勢
11.2 對2024-2030年中國IGBT行業(yè)預測分析
11.2.1 2024-2030年中國IGBT行業(yè)影響因素分析
11.2.2 2024-2030年全球IGBT市場規(guī)模預測
11.2.3 2024-2030年中國IGBT市場規(guī)模預測
圖表目錄
圖表 功率半導體多種分類及特點
圖表 功率半導體器件性能對比
圖表 功率半導體應用范圍
圖表 IGBT的結構圖示
圖表 IGBT的基本分類(根據(jù)電壓等級劃分)
圖表 IGBT的產(chǎn)品類別
圖表 IGBT單管、模塊和IPM技術特性比較
圖表 功率半導體行業(yè)發(fā)展的主要驅動因素
圖表 2014-2021年全球功率半導體市場規(guī)模
圖表 全球功率半導體細分市場規(guī)模占比
圖表 全球功率器件主要廠商市場份額
圖表 全球功率半導體應用領域市場占比
圖表 功率半導體廠商擴產(chǎn)情況
圖表 中國功率半導體市場發(fā)展特點
圖表 2014-2021年中國功率半導體市場規(guī)模
圖表 中國功率半導體主要廠商營收
圖表 中國半導體功率器件十強企業(yè)
圖表 功率半導體器件領域期刊文獻基金分布
圖表 2017-2020年中國功率半導體主要廠商研發(fā)支出
圖表 國內(nèi)功率半導體廠商研發(fā)人員數(shù)量
圖表 2019年中國半導體下游應用占比
圖表 IGBT行業(yè)相關政策匯總
圖表 2017-2021年國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表 2017-2021年全國三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表 2017-2021年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表 2021年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表 2021-2022年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
圖表 2022年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表 2022年全國居民人均可支配收入平均數(shù)與中位數(shù)
圖表 2022年全國居民收入主要數(shù)據(jù)
圖表 2020-2022年中國居民人均可支配收入平均數(shù)與中位數(shù)
圖表 2022年全國居民收入主要數(shù)據(jù)
圖表 2022年全國居民人均消費支出及構成
圖表 2022年全國居民支出主要數(shù)據(jù)
圖表 2022年中國居民人均消費支出及構成
圖表 2022年全國居民支出主要數(shù)據(jù)
圖表 2017-2021年社會消費品零售總額及其增長速度
圖表 2021-2022年全國社會消費品零售總額同比增速
圖表 2021-2022年按消費類型分零售額同比增速
圖表 2022年社會消費品零售總額主要數(shù)據(jù)
圖表 IGBT工藝技術發(fā)展史
圖表 全球IGBT市場規(guī)模
圖表 全球IGBT分立器件主要廠商市場份額
圖表 全球IGBT模塊主要廠商市場份額








