2022-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與發(fā)展前景預(yù)測報告
http://www.diannaozhi.com 2022-04-27 09:23 中企顧問網(wǎng)
2022-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與發(fā)展前景預(yù)測報告2022-4
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- 2022-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與發(fā)展前景預(yù)測報告，首先介紹了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、第三代半導(dǎo)體整體運行態(tài)勢等，接著分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場運行的現(xiàn)狀，然后介紹了第三代半導(dǎo)體市場競爭格局。隨后，報告對第三代半導(dǎo)體做了重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)，本報告是您不可或缺的重要工具。
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氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為最成熟的第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。
作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。
此外，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。
從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點。在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料。
1 | GaN、SiC | 能過夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。 |
2 | GaN：氮化鎵（GaN） | 是極其穩(wěn)定的化合物，又是堅硬和高熔點材料，熔點為1700℃。GaN具有高的電離度，在三五族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，因為其硬度大，所以它又是一種良好的涂層保護(hù)材料。GaN具有出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度。目前主要用于功率器件領(lǐng)域，未來在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。未來當(dāng)5G標(biāo)準(zhǔn)頻率超過40GHz，砷化鎵將無法負(fù)荷，必須采用氮化鎵。 |
3 | SiC：碳化硅（SiC）俗稱金剛砂 | 為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結(jié)可得到堅硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發(fā)光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導(dǎo)體。通過Lely法能生長出大塊的碳化硅單晶。 |
中企顧問網(wǎng)發(fā)布的《2022-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與發(fā)展前景預(yù)測報告》共八章。首先介紹了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、第三代半導(dǎo)體整體運行態(tài)勢等，接著分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場運行的現(xiàn)狀，然后介紹了第三代半導(dǎo)體市場競爭格局。隨后，報告對第三代半導(dǎo)體做了重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)，本報告是您不可或缺的重要工具。
本研究報告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)庫。其中宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局，部分行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)庫及證券交易所等，價格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測數(shù)據(jù)庫。
本研究報告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)庫。其中宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局，部分行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)庫及證券交易所等，價格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測數(shù)據(jù)庫。
報告目錄：
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力（圖2），更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導(dǎo)體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。
相對于Si，SiC的優(yōu)點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場。42GHz頻率的SiCMESFET用在軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC作為襯底的高亮度藍(lán)光LED是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
在碳化硅SiC中摻雜氮或磷可以形成n型半導(dǎo)體，而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導(dǎo)體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數(shù)量級可與金屬比擬的導(dǎo)電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下?lián)碛谐瑢?dǎo)性，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場行為有明顯區(qū)別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是II型半導(dǎo)體，但摻雜硼的碳化硅則是I型半導(dǎo)體。
第三代半導(dǎo)體材料優(yōu)勢明顯
回顧半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，其先后經(jīng)歷了以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料，在上個世紀(jì)，這兩代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進(jìn)步、社會發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料被統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體材料。
1 | 作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。 |
2 | 從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點。在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料。 |
3 | 作為新一代半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵器件，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。 |
4 | 與第一代半導(dǎo)體材料硅相比，碳化硅有諸多優(yōu)點：有高10倍的電場強度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，使其小至LED照明、家用電器、新能源汽車，大至軌道交通、智能電網(wǎng)、軍工航天都具備優(yōu)勢，所以碳化硅市場被各產(chǎn)業(yè)界頗為看好。 |
5 | 而氮化鎵直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，氮化鎵占絕對的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，碳化硅適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。可謂各有優(yōu)勢。 |
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)定義及分類
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展及應(yīng)用領(lǐng)域
第三節(jié) 主要國家第三代半導(dǎo)體發(fā)展
第二章 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策
一、國家"十三五"行業(yè)政策
二、其他相關(guān)政策
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展社會環(huán)境分析
第三章 中國半導(dǎo)體行業(yè)供需現(xiàn)狀分析
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)總體規(guī)模
第二節(jié) 半導(dǎo)體所屬行業(yè)產(chǎn)量概況
一、2015-2019年產(chǎn)量分析
二、2019年產(chǎn)量
第三節(jié) 半導(dǎo)所屬行業(yè)體進(jìn)出口概況
一、2015-2019年進(jìn)出口分析
二、2019年進(jìn)出口
第四節(jié) 半導(dǎo)體市場需求量概況
一、2015-2019年市場需求量分析
二、2019年市場需求量
第四章 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)總體發(fā)展情況分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)規(guī)模情況分析
一、行業(yè)單位規(guī)模情況分析
二、行業(yè)利潤總額狀況分析
三、行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模狀況分析
四、行業(yè)市場規(guī)模狀況分析
第二節(jié) 行業(yè)競爭結(jié)構(gòu)分析
一、現(xiàn)有企業(yè)間競爭
二、潛在進(jìn)入者分析
三、替代品威脅分析
四、上游議價能力分析
五、下游議價能力分析
第三節(jié) 第三代半導(dǎo)體的綜合加工技術(shù)進(jìn)展
第四節(jié) 國際競爭力比較
第五章 2019年我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)重點區(qū)域分析
第一節(jié) 環(huán)渤海
第二節(jié) 長三角
第三節(jié) 珠三角
第四節(jié) 重點省市分析
1、深圳
1、北京
3、上海
4、江蘇
5、西安
第六章 第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場分析
第一節(jié) 全球重點產(chǎn)品
一、市場占有率
二、市場應(yīng)用及特點
第二節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體品牌競爭概況
第三節(jié) 產(chǎn)品細(xì)分
第七章 第三代半導(dǎo)體國內(nèi)重點生產(chǎn)廠家分析
第一節(jié) 三安光電股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第二節(jié) 揚州揚杰電子科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第三節(jié) 國民技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第四節(jié) 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第五節(jié) 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第六節(jié) 杭州士蘭微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第七節(jié) 上海貝嶺股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八節(jié) 吉林華微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八章 2022-2028年第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風(fēng)險分析
第一節(jié) 當(dāng)前第三代半導(dǎo)體市場存在的問題（）
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展預(yù)測分析
一、2019年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展規(guī)模
二、2022-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測分析
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險分析
（一）宏觀經(jīng)濟風(fēng)險
（二）產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險
（三）市場競爭風(fēng)險
（四）技術(shù)淘汰風(fēng)險（）
第四節(jié)投資建議
圖表目錄
圖表 1 寬禁帶半導(dǎo)體材料（第一代~第三代）的重要參數(shù)對比
圖表 2 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 3 LED三種襯底
圖表 4 SiC和GaN商業(yè)化功率器件發(fā)展歷程
圖表 5 SiC半導(dǎo)體材料及器件的發(fā)展過程
圖表 6 SiC器件市場發(fā)展趨勢預(yù)測分析
圖表 7 GaN基功率器件的發(fā)展歷程
圖表 8 國際上涉及GaN微波器件的主要廠商
圖表 9 2015-2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模
圖表 10 2015-2019年我國半導(dǎo)體產(chǎn)值規(guī)模
圖表 11 中國主要半導(dǎo)體制造、設(shè)計、封測公司列表
圖表 12 "中國制造2025"大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表 13 2022-2028年大陸IC制造產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點
圖表 14 2022-2028年大陸IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點
圖表 15 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線
圖表 16 2015-2019年我國集成電路產(chǎn)量
圖表 17 2015-2019年我國集成電路進(jìn)出口總量
圖表 18 2015-2019年我國集成電路需求量
圖表 19 2015-2019年我國集成電路行業(yè)企業(yè)數(shù)量
圖表 20 2015-2019年我國集成電路行業(yè)利潤總額
圖表 21 2015-2019年我國集成電路行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模
圖表 22 2015-2019年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 23 第三代半導(dǎo)體行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅分析
圖表 24 第三代半導(dǎo)體行業(yè)替代品威脅分析
圖表 25 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈變遷與產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移
圖表 26 美日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 27 韓臺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 28 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原因剖析
圖表 29 2019年北京集成電路產(chǎn)業(yè)概況
圖表 30 2015-2019年上海集成電路、封裝測試銷售規(guī)模
更多圖表請見正文……
與 半導(dǎo)體 的相關(guān)內(nèi)容
