Hynix發布首款54nm制程的2GB移動DRAM
http://www.diannaozhi.com 2008-12-06 09:55 中企顧問網
本文導讀：Hynix發布首款54nm制程的2GB移動DRAM，提供能源礦產、石油化工、IT通訊、房產建材、機械設備、電子電器、食品飲料、農林牧漁、旅游商貿、醫藥保艦交通物流、輕工紡織等行業專業研究報告
韓國半導體制造商Hynix（海力士）發布了目前世界第一款采用54nm工藝的2GB移動DRAM。
Hynix突破了目前采用MCP封裝以及PoP封裝的移動DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功實現了2GB的容量密度。新產品工作在1.2V的電壓下，傳輸速度最高可達到400Mbps，而且通過32-bit的IO每秒可處理1.6Gigabytes的數據，其功耗也比目前的少很多。
據Hynix稱，該產品已經通過了JEDEC標準認證，將會在2009年上半年實現量產。
Hynix突破了目前采用MCP封裝以及PoP封裝的移動DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功實現了2GB的容量密度。新產品工作在1.2V的電壓下，傳輸速度最高可達到400Mbps，而且通過32-bit的IO每秒可處理1.6Gigabytes的數據，其功耗也比目前的少很多。
據Hynix稱，該產品已經通過了JEDEC標準認證，將會在2009年上半年實現量產。
